三星拟将我国芯片工厂出资增至80亿美元进步产值

2019-12-14 14:39:24 出处:网易科技报道 作者:责任编辑NO。杜一帆0322 责任编辑:责任编辑NO。杜一帆0322

(原标题:Report: Samsung to increase investment in its chip factory in China by $8B to boost production of NAND flash memory chips)

网易科技讯 12月13日音讯,据外媒报导,三星电子公司拟将在我国芯片工厂的出资增加到80亿美元,以进步NAND闪存芯片产值。

三星增加出资正值内存芯片价格有望于下一年反弹之际,因为供给有限,商场对5G设备和网络的需求也在不断上升。三星是全球最大的NAND闪存芯片制造商,这类芯片能够可用于移动设备、存储卡、U盘和固态硬盘中。

2017年,三星宣告将在三年内向坐落西安的NAND闪存芯片工厂出资70亿美元。在这些出资进行之前,该公司曾向西安的一家测验和包装工厂出资108亿美元。三星对此回绝置评。

三星在NAND闪存范畴的竞赛对手包含韩国SK海力士(SK Hynix)和美国美光科技(Micron Technology)以及日本东芝,几家我国企业也正试图进入内存范畴,但它们至今没有获得太大成功,还不足以与这些巨子竞赛。

本年秋季,长江存储科技有限责任公司(YMTC)宣告,将开端大规模出产64层3D NAND芯片,这是大都抢先职业企业遵从的基准。(小小)

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